دانشمندان موفق به کشف تکنیکی شده‌اند که می‌تواند نوعی حافظه‌ی بسیار متراکم حالت جامد ایجاد کند. ذخیره‌سازی داده‌ها در این روش به اندازه‌ای متراکم است که می‌تواند ۴۵ میلیون ترانه‌ی آی‌تیونز را روی سطح یک سکه‌ی ربع دلاری ذخیره نماید!
زمانی که روش جدید به بهره‌برداری برسد، ظرفیت ذخیره‌سازی هارد دیسک‌های کامپیوتر هزار برابر خواهد شد. تکنیک جدید متراکم‌ترین نوع حافظه‌ی حالت جامد است که تاکنون کشف شده است.
Image credit: sciencealert.com
روش جدید به‌وسیله‌ی دانشمندان در دانشگاه آلبرتا کشف شده است. میزان ذخیره‌سازی در روش جدید هزار برابر روش‌های متعارف کنونی است.
دانشمندان از همان تکنیکی که با استفاده از آن مدارهای منطقی در مقیاس اتمی ایجاد می‌کنند، برای برداشت و جایگزین کردن اتم‌های منفرد هیدروژن استفاده کردند. در واقع، آنها می‌توانند یک اتم هیدروژن را بردارند و آن را جایگزین سازند. این تکنولوژی امکان آن را فراهم می‌کند که ذخیره‌سازی مجدد حافظه امکان‌پذیر باشد؛ یعنی نوع بسیار مؤثرتری از درایوهای حالت جامد برای کامپیوتر‌ها امکان‌پذیر خواهد شد.
تاکنون روش‌هایی که برای کار کردن با اتم‌های منفرد جهت ایجاد ذخیره‌سازی کامپیوتر ابداع شده بود، فقط در دماهای بسیار بسیار پایین قابل استفاده بود. ولی روش جدید در دمای معمولی کار می‌کند و می‌تواند برای کاربردهای متعارف مورد استفاده قرار گیرد.
تکنیک جدید جزئی از روش نانوساخت (nanofabrication) است که تاکنون این روش‌ها در دمای معمولی اتاق امکان‌پذیر نبود. ولی در روش جدید، در دمای اتاق قابل استفاده است و می‌تواند بر روی اتم‌های منفرد عمل کند.
این روش نانوتیپ (nanotip) نام دارد و به دانشمندان امکان می‌دهد که اتم‌های منفرد را روی یک تراشه‌ی سیلیسیمی دستکاری کنند. این فناوری اکنون به نقطه‌ی عطف رسیده است. به این ترتیب، نانوساخت از نظر تجاری در آینده‌ی نزدیک قابل استفاده خواهد بود.
دانشمندان برای نمایش این فناوری جدید توانستند اطلاعات را با چگالی ۱۳۸ ترابایت بر اینچ مربع ذخیره‌سازی کنند، که تقریباً معادل نوشتن ۳۵۰٬۰۰۰ حرف بر روی یک دانه‌ی برنج است!
عنوان مطالعه‌ی جدید عبارت است از «لیتوگرافی برای دستگاه‌ها و حافظه‌های سیلیسیمی مقیاس اتمی استوار و قابل ویرایش» که در شماره‌ی جدید مجله‌ی «ارتباطات نیچر» منتشر شده است.
Reference
Roshan Achal, et al.: Lithography for robust and editable atomic-scale silicon devices and memories. Nature Communications, 2018; 9 (1). DOI: 10.1038/s41467-018-05171-y